磁気抵抗メモリとは？

▼磁気抵抗メモリ▼
構造はおおよそDynamic Random Access Memory DRAMと似ており、DRAMにおけるコンデンサ キャパシタ部分をMTJ（Magnetic Tunnel Junction、磁気トンネル接合）素子に置き換えたような形をしている。MTJ部分には、各MTJを選択するための電界効果トランジスタ（MOS FET）が附属している。右の図のように、下から順にMOS FETとワード線、MTJ、ビット線が積み重なっている。
MRAMの記憶はMTJで行なう。MTJは2つの強磁性層のうち片方は磁化が固定されており、他方は磁化が可変であり、間に障壁となる薄い絶縁層がある。一方の磁性層の磁化の方法を変化させることで抵抗値の高低を切り替え、0と1に対応させる。MTJは、2つの磁性層の磁気の向きが違う時に抵抗が高く、同じ時に抵抗が低い（巨大磁気抵抗効果 GMR効果、トンネル磁気抵抗効果 TMR効果）。

【情報源】Wikipedia
【引用元URL】http://ja.wikipedia.org/wiki/%E7%A3%81%E6%B0%97%E6%8A%B5%E6%8A%97%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA

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