NAND型フラッシュメモリとは？

▼NAND型フラッシュメモリ▼
NAND型フラッシュメモリは、不揮発性を持つ記憶素子のフラッシュメモリの一種である。1987年に東芝が開発した。NOR型フラッシュメモリなどと比べ、回路規模が小さくすることが可能であり、大容量化に向いている。また書き込み速度や消去速度も比較的高速であるが、データへのランダムアクセス性は劣る。近年ではデジタルカメラ用のストレージカードやメモリ内蔵型の携帯音楽プレイヤー、携帯電話などのファイルストレージデバイスとして内蔵されることが多くなった。
1ビットの情報を蓄積するのに必要な回路構成をメモリセル（または単にセル）と呼ぶ。NAND型の場合、セルは基板上にP層を挟みこむようにN層を作り、そのP層の上に浮遊ゲートがあり、さらにその上に制御ゲートがある。浮遊ゲートは絶縁体（一般的には酸化膜）で遮断されている。この浮遊ゲートに電子がある状態を”0”の情報、電子のない状態を”1”の情報に相当させて、データを記憶させる。

【情報源】Wikipedia
【引用元URL】http://ja.wikipedia.org/wiki/NAND%E5%9E%8B%E3%83%95%E3%83%A9%E3%83%83%E3%82%B7%E3%83%A5%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA

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